---科学家尼古拉·巴索夫于1960年发明了半导体激光器。半导体激光器的结构通常由p层、n层和形成双异质结的有源层构成。其特点是:尺寸小、耦合、响应速度快、波长和尺寸与光纤尺寸适配、可直接调制、相干性好。
这个很微弱的入射微波束相当于起立脚点对一场雪崩的促发作用,后就会产生一个很强的微波束。用来激发分子的能量就全部转变为一种特殊的辐射。1953年12月,汤斯和他---阿瑟·肖洛终于制成了按上述原理工作的的一个装置
爱因斯坦1917提出受激辐射,智能转盘焊接机,激光器却在1960年问世,智能转盘焊接机,相隔43年,为什么?主要原因是,普通光源中粒子产生受激辐射的概率。当频率一定的光射入工作物质时,受激辐射和受激吸收两过程同时存在,受激辐射使光子数增加,受激吸收却使光子数减小
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