半导体的这四个特性,虽在1880年以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。 [3]
不久,1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生一个电压,这就是后来人们熟知的光生伏应,这是被发现的半导体的第二个特性。 [3] 1873年,英国的发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应,这是半导体的第三种特性
2019年10月,一国际科研团队称与传统霍尔测量中仅获得3个参数相比,新技术在每个测试光强度下可获得7个参数:包括电子和空穴的迁移率;在光下的载荷子密度、重组寿命、电子、空穴和双极性类型的扩散长度。
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